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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。955110-99￥11.5680100-499￥10.9896500-999￥10.60401000-1999￥10.58472000-4999￥10.50765000-7499￥10.41127500-9999￥10.3341≥10000￥10.2955 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP12N60NZ 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V198110-99￥6.8760100-499￥6.5322500-999￥6.30301000-1999￥6.29152000-4999￥6.24575000-7499￥6.18847500-9999￥6.1426≥10000￥6.1196 -
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品类: MOS管描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor50865-24￥1.660525-49￥1.537550-99￥1.4514100-499￥1.4145500-2499￥1.38992500-4999￥1.35925000-9999￥1.3469≥10000￥1.3284 -
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品类: MOS管描述: P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。907410-99￥6.2160100-499￥5.9052500-999￥5.69801000-1999￥5.68762000-4999￥5.64625000-7499￥5.59447500-9999￥5.5530≥10000￥5.5322 -
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品类: MOS管描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor36885-24￥5.292025-49￥4.900050-99￥4.6256100-499￥4.5080500-2499￥4.42962500-4999￥4.33165000-9999￥4.2924≥10000￥4.2336 -
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品类: MOS管描述: N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor17625-24￥1.363525-49￥1.262550-99￥1.1918100-499￥1.1615500-2499￥1.14132500-4999￥1.11615000-9999￥1.1060≥10000￥1.0908 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V662110-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor58915-24￥2.484025-49￥2.300050-99￥2.1712100-499￥2.1160500-2499￥2.07922500-4999￥2.03325000-9999￥2.0148≥10000￥1.9872 -
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品类: MOS管描述: 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor61875-24￥2.295025-49￥2.125050-99￥2.0060100-499￥1.9550500-2499￥1.92102500-4999￥1.87855000-9999￥1.8615≥10000￥1.8360 -
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品类: MOS管描述: 30V P沟道PowerTrench MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET80765-24￥5.778025-49￥5.350050-99￥5.0504100-499￥4.9220500-2499￥4.83642500-4999￥4.72945000-9999￥4.6866≥10000￥4.6224 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS9435A. 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 50 mohm, -10 V, -1.7 V613710-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS8435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 7.9 A, -30 V, 35 mohm, -4.5 V, -1.3 V717710-99￥7.2240100-499￥6.8628500-999￥6.62201000-1999￥6.61002000-4999￥6.56185000-7499￥6.50167500-9999￥6.4534≥10000￥6.4294 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。566410-99￥6.6240100-499￥6.2928500-999￥6.07201000-1999￥6.06102000-4999￥6.01685000-7499￥5.96167500-9999￥5.9174≥10000￥5.8954 -
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品类: MOS管描述: 单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor52895-24￥1.377025-49￥1.275050-99￥1.2036100-499￥1.1730500-2499￥1.15262500-4999￥1.12715000-9999￥1.1169≥10000￥1.1016 -
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品类: MOS管描述: N-Channel 30V 0.085Ω Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3426810-49￥0.823550-99￥0.7808100-299￥0.7503300-499￥0.7320500-999￥0.71371000-2499￥0.69542500-4999￥0.6680≥5000￥0.6619 -
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品类: MOS管描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor852410-49￥0.945050-99￥0.8960100-299￥0.8610300-499￥0.8400500-999￥0.81901000-2499￥0.79802500-4999￥0.7665≥5000￥0.7595 -
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品类: MOS管描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor202010-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-Channel 30V 1.2A SuperSOT359755-24￥3.294025-49￥3.050050-99￥2.8792100-499￥2.8060500-2499￥2.75722500-4999￥2.69625000-9999￥2.6718≥10000￥2.6352 -
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品类: MOS管描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor640420-49￥0.202550-99￥0.1875100-299￥0.1800300-499￥0.1740500-999￥0.16951000-4999￥0.16655000-9999￥0.1635≥10000￥0.1605 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。26575-49￥30.817850-199￥29.5008200-499￥28.7633500-999￥28.57891000-2499￥28.39452500-4999￥28.18385000-7499￥28.0521≥7500￥27.9204 -
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品类: MOS管描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor321310-99￥6.2040100-499￥5.8938500-999￥5.68701000-1999￥5.67672000-4999￥5.63535000-7499￥5.58367500-9999￥5.5422≥10000￥5.5216 -
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品类: MOS管描述: N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor48445-49￥20.381450-199￥19.5104200-499￥19.0226500-999￥18.90071000-2499￥18.77882500-4999￥18.63945000-7499￥18.5523≥7500￥18.4652
